S0501

走査型電子顕微鏡（S-4800）

1. メーカー・型式

(株)日立ハイテクノロジーズ製電界放出型走査電子顕微鏡：S-4800

走査型電子顕微鏡(SEM)は電子線を利用して微小な表面構造を鮮明に観察することができます。さらに、焦点深度が深い像が得られることから、凹凸の激しい試料表面の構造を拡大して、三次元的な画像が観察できる装置です。S-4800は0.1kVでの低ダメージで形状(二次電子)像観察、1kVでの組成(反射電子)像観察、走査型透過電子顕微鏡(STEM)像観察ができ、高感度EDS検出器による低電流かつ短時間でのEDS分析が可能です。

装置の構成

2. 原理および特徴

電界放射で発生する電子線は高輝度で、且つエネルギー幅が小さいため、高分解能観察が可能となります。特に低加速電圧においても高い分解能を示します。
セミインレンズ方式(WD=2～)の採用により、高分解能と試料サイズを両立しています。
電場／磁場を組み合わせた二次電子検出系を採用することで、超低加速電圧域（1kV～）での反射電子像観察が可能です。
リターディング機能により、試料照射電圧を0.1kVまで低下させることができ、試料の表面形状を低ダメージで観察できます。STEM機能により、微小試料の透過像観察が可能です。
試料から発生する特性X線をEDS(エネルギー分散型X線)検出器で検出し、微小領域の元素分析（B～U）や元素の分布状態を測定できます。
試料直上に高感度EDS検出器を配置しており、発生X線を高効率・高感度で検出できます。そのため、低電流かつ短時間で分析が可能となり、電子線ダメージを受けやすい材料や立体障害(穴の底や大きい粒子の隣など)を避けたEDS分析が可能です。

3. 主な性能、仕様、付属品

電子銃	電界放出型（サーマル型）
分解能	二次電子像 1nm（15kV）、1.4nm（1kV）
倍率	×20～×800,000
加速電圧	0.1～2.0kV（リターディング）0.5～30kV（標準）
検出方法	二次電子像、反射電子像、STEM像（明視野像，暗視野像）