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M0901

トリプルビーム(FIB-SEM-Ar)複合装置

1. メーカー・型式

SIIナノテクノロジー製     XVision200TB

2. 原理・特徴

FIB、SEM、アルゴンイオン銃が全て同一位置にビームが交差している。(下図参照)
30kVで加速されたGaイオンにより各種材料のFIB加工を行い、加工面をSEMで観察することができる。さらに、低加速のアルゴンイオンを照射することで、より精密な加工が可能である。

装置概略図

装置概略図

3. 性能

FIB
加速電圧 1〜30kV
分解能 4nm
SEM
加速電圧 1〜30kV
分解能 3nm
熱電界放射型電子銃 GEMINIcolumn (ZEISS製)
検出器
  • SEM鏡筒内蔵In-lens検出器
  • SEM鏡筒内蔵EsB検出器
  • メインチャンバー設置二次電子検出器
Arイオン銃
加速電圧 1kV
ビーム電流 10nA

4. 付属装置・ソフト

  • ガス供給システム(C、Pt)
  • マイクロプロービング機能
  • 8インチウエハ対応サンプルホルダー
  • TEM膜厚管理ソフト
  • FIB-SEM(Cut&See)
  • 3D像構築ソフト

5. 応用分野

  • Si半導体や化合物半導体のTEM試料作製
  • 欠陥や転移の入り易い金属のTEM試料作製
  • 樹脂中の無機フィラーの分散確認(Cut&See→3D像構築)
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