走査型電子顕微鏡（SEM）
Scanning Electron Microscope

1. 特徴

高性能電子光学系と各種検出器の組み合わせにより、高分解能での表面構造の観察、EDS（エネルギー分散型Ｘ線分光）組成分析、EBSD（電子後方散乱回折）結晶方位解析が可能です。

2. 原理、概念図

図1：概念図

1. 0.01〜30kVで加速された電子を細く絞り、試料上を走査し、試料から発生する二次電子や反射電子を検出することにより、SEM像の観察を行います。
2. 試料から発生する特性Ｘ線を検出することにより、組成（B〜U）とその分布を調べます。
3. 試料から発生する反射電子回折パターンを解析することにより、結晶方位とその分布を調べます。

3. 性能と仕様

4. 試料の形状、サイズ

1. 形状：外径100mmφ以内、高さ23mm以内
2. 加工：機械研磨、ミクロトーム法、CP法、FIB法

5. 分析依頼時の留意点

真空中で電子を照射します。その条件下で試料が安定である必要があります。試料作製時に、水・有機溶媒や各種樹脂等を使用するため、耐熱性、吸湿性、耐薬品性等の情報が必要です。

6. 測定データ例

図2：二次電子像　試料：ゼオライト		図3：二次電子像　試料：Ni2O3粒子
図4：反射電子像　試料：真鍮腐食部		図5：EDSマップ　試料：真鍮腐食部
図6：結晶方位マップと代表的な粒子の格子モデル 試料：Au

7.適用例

1. 半導体デバイスなど各種材料の断面観察
2. 金属、半導体などの結晶方位、粒界の解析
3. EDSによる異物の組成解析
4. FIB-SEMによる断面観察後の任意箇所のFIB-TEM解析