TCT-GC/MSによるシリコーンゴムから発生する微量シロキサンの定量分析

精密部品の製造工程でしばしば見られるシロキサンの発生は、電気的な導通不良や積層材料の剥離など、様々な問題を引き起こします。その発生源は主にシリコーンゴムなどのケイ素系有機材料であり、その発生する量を調べることは工程管理の上で非常に重要です。

このシロキサン量は、試料を加熱した時に発生する微量有機成分の分析に使用されるTCT-GC/MS（図1）により調べられます。図2に示したTICクロマトグラムはシリコーンゴムを100℃で10分間過熱した際に発生したシロキサンを定量分析したもので、ppbレベルの分析が可能です。

図1：TCT-GC/MS概念図

図2：TCT-GC/MSによるシリコーンゴムからのシリコーン発生量測定結果（マスクロマトグラム）