半導体ヘテロ接合界面のTEMひずみ解析

発光ダイオードの発光層InGaN/GaN界面のTEMひずみ解析を行いました。

GaN[1-100]入射条件の断面TEM写真を図1（a）に、HREM Research社製 PPA（「PPA（TEMひずみ解析ソフト）」参照）を用いて解析したひずみマップを図1（b）〜（d）に示します。x、y方向とリファレンスとした領域を図1（a）中にそれぞれ示します。なお、ひずみマップは、TEM写真の像強度ピーク位置が原子列位置と直接関係していると仮定し、リファレンス部と比較して-5〜+5％の範囲をカラー表示しています。

TEM写真中矢印で示すInGaN層では、層内（x方向）の変位は少ない（同図b）ものの、成長方向（y方向）に伸びる方向の変位を示すと考えられます（同図c）。

（a）断面TEM写真	（b）ひずみマップ（εxx）
（c）ひずみマップ（εyy）	（d）ひずみマップ（εxy）
図1：断面TEM写真・ひずみマップ