S264
SPMによるSiウエハの表面粗さ測定
NanoScope走査型プローブ顕微鏡（D3100型）は150mmφの大型サンプルステージを有し、試料ステージに試料を真空チャックで固定することにより、図1のように、最大では8インチウエハの表面形状を非破壊で観察することができます。測定時には、試料はステージに確実に固定され、SPMヘッド下部先端のプローブをピエゾ素子の電圧制御で動かすことによって、試料表面の形状測定（最大測定エリア：90×90μm）が行われます。また、本装置では、タッピングモードでの測定が可能で、さまざまな試料表面の高分解能イメージが得られます。
図2にSiウエハ表面形状と表面粗さ解析結果を示します。各表面粗さパラメータは下記の式で定義された値です。（N：データポイント数、Zi：各データポイントのZの値、Zave：全Z値の平均値）
| Img. Rms（Rq） | ： | 全Z軸データの標準偏差 Rms=｛Σ（Zi−Zave）2／N｝1/2 |
| Img. Ra | ： | 中心面に対する平均粗さ Ra=Σ|Zi−Zave|／N |
| Img. Rmax | ： | 平均面に対してのZ軸の最高値と最低値の差 |
図2：Siウエハの表面形状および表面粗さパラメータ計算結果
