TOF-SIMSによる超格子の分析（2）

多層膜試料の分析では、TOF-SIMSが威力を発揮します。ここでは、GaN系超格子膜中のドーパント（Si）のデプスプロファイルを図1に示します。

試料構造はGaN中でのSiの周期ドーピング超格子（100周期以上）

SiドープGaN（2.5nm）/ノンドープGaN（7.5nm）の繰り返し

Siは分子イオン（SiN^-）で検出しました。試料のデプスプロファイルより、Siの周期ドーピングが明瞭に観察されていることが分かります。このように、TOF-SIMSは超格子のドーパントの分析にも威力を発揮します。

図1：超格子多層膜の断面構造とTOF-SIMSによって測定したSiのデプスプロファイル