TOF-SIMSによるウエハ表面の分析

半導体材料の分析では、プロセスで使用するウエハの表面汚染の評価が最も重要な評価項目の一つです。表面汚染は、プロセス環境からの微粒子や有機成分の付着が主なものですが、SIMSやESCA、オージェなどを用いて、さまざまな角度から分析を行っています。

図1に、TOF-SIMSを用いたシリコンウエハ表面の有機成分の分析例を示しますが、ウエハの洗浄処理の違いでフラグメントイオンの強度に大きな違いが見られることが分かります。

図1：TOF-SIMSを用いたシリコンウエハ表面における有機成分の分析例