FIB-TEM法を用いたパターン配線上の微小異常部の分析

収束イオンビーム（FIB：Focused Ion Beam）装置を用いることにより、高い位置精度で目的箇所のTEM（Transmission Electron Microscope）試料を作製することが可能となります。以下にパターン配線に発生した微小異常部のTEM試料作製事例を紹介します。

パターン配線の光学顕微鏡写真を図1に、表面SEM（Scanning Electron Microscope）像を図2、図3に示します。パターン配線上に大きさが0.2µmΦ程度の模擬異常部（ピンホール）が確認できます。次に、異常部の断面暗視野STEM（Scanning Transmission Electron Microscope）像を図4、図5に示します。配線部の絶縁膜に幅200nm（上部）、30nm（下部）、深さ400nm程度の凹みが認められました。このような高い位置精度を有したTEM試料作製技術は、構造が微細化する製品や材料の開発において、有用な分析手法となることが期待されます。