ICP-MSによるシリコンウエハ表面の金属不純物の定量

特徴

• 半導体製造工程において問題となる元素（Na、Al、Ca、Cr、Fe、Cu等）の分析=>10⁸〜10⁹atoms/cm²
• 12インチ径のウエハサイズの分析が可能
• 数万ÅのSiO₂膜厚の分析が可能

図：8インチシリコンウエハ表面の金属分析例