収束電子線回折像シミュレーションプログラム

収束電子線回折（CBED）では試料上に電子線を収束させて回折像を得ることにより、各回折点は強度分布を持つディスク状になります。この強度を解析すると多くの結晶学的情報が得られます。CBED像シミュレーションプログラムは、TEM像シミュレーションと同様に、試料の結晶情報、装置・測定条件の情報を与えることで、CBED像を計算します。

例として、日本電子製JEM-2010F（加速電圧200kV）でGaN （1-100）について、試料厚みの異なる2点を測定したCBED像を図1に示します。GaNは成長方向に極性（Ga面またはN面）が存在し、その情報が上下ディスク（矢印部）間での非対称な強度分布として表れています。しかし、その強度分布は試料厚みにより変化することからも分かるように、強度分布の解析にはシミュレーションが不可欠です。実験データをそれぞれ再現するシミュレーション像を図2に示します。両者の比較から本試料はN極性と判断できました。

図1：CBED像

図2：シミュレーション像