集束イオンビーム加工観察装置（FIB）
Focused Ion Beam System

1. メーカー・型式

日本電子製     JIB-4000

2. 特徴

高性能イオンカラムを搭載しており、最大電流値60nAのイオンビームによる、高速で広い領域の断面加工が可能です。

3. 原理、概念図

図1：概念図

1. 1〜30kVで加速されたGaイオンを細く絞り、試料上を走査することにより、特定箇所のFIB加工を行います。
2. 試料から発生する二次電子を検出することにより走査イオン像（SIM像）の観察を行います。

4. 性能と仕様

1. 加速電圧：1〜30kV　分解能5nm
2. 付属装置：ガス供給システム（C、Pt）、SEM共用ホルダ

5. 試料の形状、サイズ

固体、外径20mmφ以内、高さ23mm以内

6. 分析依頼時の留意点

真空中でGaイオンを照射します。その条件下で試料が安定である必要があります。

7. 測定データ例

図2 トリミングナイフ先端
図3 太陽電池配線部

8. 適用例

1. 半導体配線の断面観察
2. 金属結晶方位の観察
3. フィルター細孔の断面観察